中國科學院葉志鎮院士到訪眾合科技
                              2020/08/12 2845 字號:

                              2020年8月11日,中國科學院院士葉志鎮到訪眾合科技。

                              葉志鎮院士為浙大材料科學與工程學院學術委員會主任,曾任浙大硅材料國家重點實驗主任,及材料科學與工程學系主任。葉志鎮院士長期從事寬禁帶半導體氧化鋅等無機光電材料及關鍵技術研究,開辟了浙江大學半導體薄膜研究方向,是國際光電氧化鋅領域的主要學術帶頭人,為我國無機光電材料發展作出了突出貢獻。   

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                              眾合科技陳均副董事長等領導陪同接待,在參觀完公司展廳及實驗室后,雙方進行了深入的交流座談。

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                              陳均副董事長對葉志鎮院士的到訪表示熱烈歡迎,他簡要介紹了眾合科技半導體業務板塊的發展歷程及目前取得的成績,并表示公司將緊跟國家“科技強國”發展戰略,銳意創新,抓緊布局,實現半導體材料核心關鍵“卡脖子”技術突破,促成業務爆發式增長。

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                              葉志鎮院士表示,他對于眾合科技感到十分親切,眾合科技子公司海納半導體的前身是1970年成立的浙大半導體廠,可以說海納半導體是真正的浙大嫡系和正統血脈。

                              海納半導體以浙大硅材料國家重點實驗室為技術依托,在硅材料制造領域積累了豐富的經驗和技術,目前公司已成為我國主要的半導體器件單晶硅材料供應商之一。葉志鎮院士對海納半導體多年來取得的成績及持續健康發展表示十分高興

                              在談到半導體材料產業時,他表示袁家軍省長在今年省政府召開的第11次專題學習會上著重強調,“新材料產業是戰略性、基礎性產業和高技術競爭的關鍵領域。加快發展新材料產業是浙江省順應新一輪科技革命和產業變革的必然選擇。樹立并踐行“材料先行”理念,以更高起點、更高標準聚力推進新材料科創高地建設,加快實現彎道超車、換道超車,努力從跟跑者、并跑者變成領跑者,加快打造成為“重要窗口”的標志性成果”。

                              葉志鎮院士談到,目前半導體材料行業面臨的發展機會難得,此時正是實現關鍵核心技術突破的好時機,眾合科技要緊隨國家發展戰略,以“特色明顯、優勢突出,意義重大”作為技術突破的關鍵發展理念,堅定信心,銳意進取,不斷創新,摸準市場和技術,下大力氣解決目前半導體材料行業卡脖子的技術難題,滿足國家對于高端半導體材料的迫切需求,這對于公司來講也是一件值得花費心思和氣力去認真來做的重要事情。

                              葉志鎮院士勉勵眾合科技,要抓住歷史機遇期,瞄準半導體先進材料技術領域不斷發力,發揮公司自主研發的科技實力,大力培育半導體材料高端人才,持續開展“卡脖子”技術攻關,他期望,未來雙方能在半導體高端材料等相關領域開展深入合作,通過技術的持續創新突破,滿足國家戰略需求,他相信,眾合科技最終一定能夠實現關鍵核心技術突破,扛起中國先進高端半導體材料的創新大旗,為國家集成電路產業的壯大發展貢獻自己的力量。

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                              日前,國務院印發《新時期促進集成電路產業和軟件產業高質量發展的若干政策》,強調集成電路產業和軟件產業是信息產業的核心,是引領新一輪科技革命和產業變革的關鍵力量,海納半導體也早在2007年,就進入國家第一批國家鼓勵的集成電路生產企業。同時,泛半導體板塊也是眾合科技下一個五年當中重點戰略扶持發展的又一業務方向。眾合科技將聚焦國家戰略和行業發展方向,穩固并全面恢復海納半導體在行業中的領先地位,重推海納半導體品牌建設,做強產品深度。同時,眾合科技也將通過產學研合作和并購整合,增強海納半導體業務的盈利能力和競爭力。

                              在世界經濟增長低迷,國際經貿摩擦加劇,國內經濟下行壓力加大,以及新一輪科技革命和產業變革的歷史性交匯期,唯創新者進,唯創新者強,眾合科技也必將不斷創新發展,在半導體材料壯麗的發展史上留下自己光輝的印記。


                              葉志鎮院士
                              葉志鎮,1955年5月出生,浙江蒼南人,浙江大學光儀系光學儀器專業畢業,研究生學歷,博士,中國科學院院士。

                              葉志鎮院士先后發表學術論文600多篇,出版學術著作2本,參編2本,授權中國發明專利111項,國際發明專利1項。作為第一完成人,葉志鎮院士獲國家自然科學二等獎1項,省科技一等獎3項,省部科技二等獎4項。

                              葉志鎮院士首創超高真空CVD技術并在全國推廣應用;1986年開創國內半導體ZnO薄膜摻雜研究先河,建立了p型二元共摻原理與技術,國際首次由MOCVD法制成ZnO-LED原型器件并實現室溫電致發光;發展了n型氧化鋅高導電摻雜技術,突破無銦透明導電薄膜難題,實現了產業應用。此外,在低維ZnO材料可控制備,紫外探測、傳感器件以及新型ZnO薄膜晶體管等方面也作出創新工作。    

                              浙江海納半導體有限公司

                              公司成立于2002年9月,是眾合科技的全資子公司,是一家有著多年發展歷史的半導體企業,依托浙江大學硅材料科學國家重點實驗室,公司建立起一支由多名碩士組成的研發團隊,并擁有多項具有自主知識產權的發明專利,在硅材料制造領域積累了豐富的經驗和技術,公司在硅單晶體生長技術、硅材料缺陷研究、硅片切割研磨、硅晶圓拋光技術、硅片檢測等各個方面都有著深入的研究和開發。


                              1960年,浙江大學開始專業研究半導體材料。

                              1970年,成立浙江大學半導體廠,半導體單晶硅材料開始產業化。

                              1988年,浙江大學半導體廠CZ單晶硅首次出口海外,是國內同類產品首次出口海外。

                              1997年1月,浙江大學半導體廠成功拉制中國第二根8英寸硅單晶。

                              1999年5月7日,浙江大學半導體廠等企業重組上市,公司全稱為浙江浙大海納科技股份有限公司。

                              2002年9月12日,浙江浙大海納科技股份有限公司出資控股成立杭州海納半導體有限公司。

                              2010年4月,杭州海納半導體有限公司成為浙江眾合科技股份有限公司全資子公司。

                              2016年5月,杭州海納半導體有限公司更名為浙江海納半導體有限公司。

                              公司主要業務為3-8英寸半導體級直拉硅單晶錠、硅單晶研磨片和硅單晶拋光片。2007年被國家發改委、信息產業部、海關總署和國家稅務總局聯合審核認定的第一批國家鼓勵的集成電路企業。同時海納半導體是全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分會委員單位,起草了例如《硅單晶切割片和研磨片》《硅單晶拋光試驗片規范》等多份國家標準和行業標準。



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